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　　手册上参数，一般基于环境温度为25℃时测量的。实际上很多MOS能在，环境温度为80℃以上正常工作。

　　1、 开启阈值电压（Vgsth）:有些MOS管阈值电压不到1V，MOS管就能开始导通，有的MOS管开启电压至少2V。

　　3、栅极和源极之间的最大值（Vgs）：当MOS管开始导通时，这个电压值较小，当栅极和源极间的电压值达到一个值时，MOS管才能完全导通。加载这两端的电压值也有个极限，不能超过给出的最大值。

　　4、最大耐压值（Vdss）：加载到D极和S极间的最大电压值。通过MOS管加载到负载上的电压值，一定要小于最大耐压值，而且留有足够的余量。

　　5、Vbr击穿电压：在G极和S极间的电压值为0时，在D极和S极间加载电压，当电压值达到多少V时，MOS管被击穿。

　　6、导通电阻：我们希望它的电阻越小好，电阻越小，功耗就越小，发热量就越小。一般为几十毫欧，小的能达到几毫欧。

　　7、冲击电流（Idm）：负载启动的瞬间，可以有很高的冲击电流，包括浪涌等。这个冲击电流一般为保持工作电流的4倍。

　　8、漏电流：开启电压为0时，MOS管没导通时，在D极和S极加载电压时，D极和S极之间会有很小的电流。

　　9、开启时间、上升时间、关断时间、下降时间：这4个参数说明MOS管的开速度，MOS管用在高频信号电路中，这个参数很重要。比如一个频率为50Khz的PWM波，有高电平和低电平，MOS管需要不停的关闭和打开，如果MOS管导通和关闭速度不够，这个PWM波不能完整传输。

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　　1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；2、输入-输出电压–它受MOSFET负载占空比能力限制；3、开关频率FS–

　　加速温升。4、ID（导通电流）：需要注意的是，这个电流值一般是在充分散热的条件下测出来的，是实验室条件下的

　　，现在想用其他的替代。设计要求是120℃的环境下，最大电流30A能持续工作。我找了几个相近的，不知道适不适合，请大家指教。IPD50P04P4-13 ； DMP4010SK3Q ；ATP114 ；有没有合适的

　　：1.开启电压VT·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道

　　中 寄生电阻、电感、电容过大过小可能对双闭环电路产生的短路/短路故障，根据输出的电压波形做具体的分析判断，可以倒推出

　　，大家熟悉的必然是Ids电流，Ron导通电阻，Vgs的阈值电压，Cgs、Cgd、Cds这几项，然而在高速应用中，开关速度这个指标比较重要。上图四项指标，第一项是导通延时时间，第二项

　　1.开启电压VT开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；·标准的N沟道

　　。一般在十分之几至几mA/V的范围内。6.导通电阻RON导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一

　　主要有两个，持续工作最大电流IDM，最大单次脉冲电流IDM，这两个都不太适合来评价我的这种用法是否可行，不知道

　　:电压范围:-200V~+900V电流范围:-95A~250AIGBT电压范围:270V~1200V电流范围:40A~150A

　　不理解，Continuous Drain Current (Package limited)=100A，Continuous Drain Current

　　管标称的电流值，一般需要较良好的散热才能达到。所以ID小于最大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.

　　博客也大半年没更新了，大半年的时间因为做着其他的项目，对蓝牙的应用少了，更换MCU等原因。忙了个大半年时间，今天突然看到博客，才想起我的博客还有许多没写。今天我就不讲技术了，

　　！电源滤波器也叫做EMI电源滤波器，是抑制电磁噪声的常用工具，主要由电阻、电感、电容等元器件构成，可以滤除某频段以外的电磁噪声，得到

　　管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道

　　选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，同时也会给工程师带来诸多麻烦，下面就跟着银联宝科技一起来学习下

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　　本帖最后由 hrbcw 于 2014-1-8 11:36 编辑 如下图中的可调电源：1. 如何将Q改成

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　　锂电池几乎应用于我们日常接触到的各类电器之中，但如何保护锂电池，其实在锂电池保护板，最主要的元器件是IC与

　　代理骊微电子申请。

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　　时要给电子元器件留够余量才能保证电子元器件稳定、长久的工作。借助这个题目简单介绍一下三极管和

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　　管应用得到全面推广，在不同工作环境下广泛应用普及，这就导致生产加工行业发展得到推动，各种不同型号种类层出不穷，为了在工作中发挥出重要优势和特性，佰鸿一级代理商鑫环电子建议在挑