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　　需要具备100V的耐压能力。而另一方面，提高耐压意味着与其存在权衡关系的导通电阻也会提高，效率会变差，因此，如何同时兼顾更高耐压和更低导通电阻，是一个很大的挑战。风扇电机通常会使用多个MOSFET进行驱动，为了节省空间，对于将两枚

　　在这种背景下，ROHM采用新工艺开发出Nch和Pch的MOSFET芯片，并通过采用散热性能出色的背面散热封装形式，开发出实现业界超低导通电阻的新系列产品。

　　新产品通过采用ROHM新工艺和背面散热封装，实现了业界超低的导通电阻（Ron）*3（Nch+Nch产品为HSOP8:19.6mΩ、HSMT8:57.0mΩ）。与普通的双MOSFET相比，导通电阻降低达56%，非常有助于进一步降低应用设备的功耗。另外，通过将两枚芯片一体化封装，可以减少安装面积，有助于应用设备进一步节省空间。例如HSOP8封装的产品，如果替换掉两枚单MOSFET（仅内置1枚芯片的TO-252封装），可以减少77%的安装面积。

　　新产品已于2023年7月开始暂以月产100万个（样品价格550日元/个，不含税）的规模投入量产。

　　目前，ROHM正在面向工业设备领域扩大双MOSFET的耐压阵容，同时也在开发低噪声产品。未来，将通过持续助力各种应用产品进一步降低功耗并节省空间，为解决环境保护等社会问题不断贡献力量。

　　ROHM通过将新产品与已具有丰硕实际应用业绩的（找元器件现货上唯样商城）单相和三相无刷电机用预驱动器IC相结合，使电机电路板的进一步小型化、低功耗和静音驱动成为可能。通过为外围电路设计提供双MOSFET系列和预驱动器IC相结合的综合支持，为客户提供满足其需求且更出色的电机驱动解决方案。

　　Pch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为负的电压而导通的MOSFET。可用比低于输入电压低的电压驱动，因此电路结构较为简单。

　　Nch MOSFET：通过向栅极施加相对于源极为正的电压而导通的MOSFET。相比Pch MOSFET，漏极与源极之间的导通电阻更小，因此可减少常规损耗。

　　使MOSFET启动（ON）时漏极与源极之间的电阻值。该值越小，运行时的损耗（电力损耗）越少。