基于 Richtek RT7083GQW MCU+Gate Driver 54W-BLDC壁挂炉热风机解决方案

　　近年来，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自动驾驶”等时髦的词汇，大家的注意力也都集中在这些领域，但其实，有一个已经真正落地，大部分人都还没注意到的应用——直流无刷电机（BLDC）市场正在悄然兴起，而且成长迅速。根据市场公开的资料，2018年全球无刷直流电机的市场规模为153.6亿美元，乐观的市场研究机构预计未来五年，市场将会以13%的年复合增长率持续增长；当然也有机构认为年复合增长率会在6.5%左右。但不论是6.5%，还是13%的增长率，这个市场都非常值得期待。由于BLDC本身可以节约能源，

　　由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。本文针对HKMG及其使用益处进行探讨。厚度挑战: 需要全新的解决方案组成DRAM的晶体管(Transistor)包括存储数据的单元晶体管(Cell Transistor)、恢复数据的核心晶体管(Core Tr

　　许多高速数据采集应用，如激光雷达或光纤测试等，都需要从嘈杂的环境中采集小的重复信号，因此对于数据采集系统的设计来说，最大的挑战就是如何最大限度地减少噪声的影响。利用信号平均技术，可以让您的测量测试系统获取更加可靠的、更加有效的测试数据。

　　摘要 文中对适用于高速突发通信的基于数字滤波平方的定时同步算法进行了研究。通过对在高速数据传输通信中，该定时同步环路的定时误差估计模块进行并行结构实现，大幅降低了系统对于时钟的要求，且更加易于实现;将文

　　据消息来源透露，三星公司的芯片制造技术发展战略可能发生较大的变化，他们正在考虑转向使用gate-last工艺制作high-k器件。按照三星原来的计划，他们将在年内推出的28/32nm制程芯片产品中使用gate-first工艺来制作high-k型器件。不过也有人认为三星很可能只在28/32nm制程 中才会采用gate-first工艺，而在22nm制程则会转向采用gate-last工艺。于此同时，三星芯片代工业务部门的副总裁Ana Hunter则拒绝就三星转向gate-last工艺事宜发表任何评论。

　　去年夏季，一直走Gate-first工艺路线的台积电公司忽然作了一个惊人的决定：他们将在其28nm HKMG栅极结构制程技术中采用Gate-last工艺。不过据台积电负责技术研发的高级副总裁蒋尚义表示，台积电此番作出这种决定是要“以史为鉴”。以下，便让我们在蒋尚义的介绍中，了解台积电28nm HKMG Gate-last工艺推出的背景及其有关的实现计划。 Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术，这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温

　　新加坡特许半导体计划在今年第四季度推出32nm制造工艺，明年上半年再进一步转入28nm。 特许半导体很可能会在明天的技术论坛上公布32nm SOI工艺生产线nm Bulk CMOS工艺路线nm LP低功耗工艺也已就绪。 特许的28nm工艺并非独立研发，而是在其所处的IBM技术联盟中获取的，将会使用高K金属栅极(HKMG)技术以及Gate-first技术(Intel是Gate-last的坚定支持者)。 特许半导体2009年技术论坛将在新竹市

　　台积电28纳米制程再迈大步，预计最快2010年第1季底进入试产，2011年明显贡献营收，台积电可望在28纳米世代迎接中央处理器(CPU)代工订单，目前28纳米制程技术最大竞争对手，仍是来自IBM阵营的Global Foundries与新加坡特许(Chartered)，双方竞争更趋激烈。 台积电表示，已将低耗电制程纳入28纳米高介电层/金属闸(HKMG)制程技术蓝图，预计2010年第3季进行试产，至于28纳米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)则分别于2010年第1季底、第2季底进入试产

　　现在，汽车行业的创新几乎完全由智能电子技术驱动，很多情况下这也是唯一可以实现新功能特性的途径。为了支持针...